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【2h】

Structural features of indium antimonide quantum dots on the indium arsenide substrate

机译：砷化铟基底上铟锑化物量子点的结构特征

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Liliya A. Sokura; Vladimir N. Nevedomskiy; Nikolay A. Bert;
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年度 2015
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1. Structural features of indium antimonide quantum dots on the indium arsenide substrate [J] . Liliya A. Sokura, Vladimir N. Nevedomskiy, Nikolay A. Bert St. Petersburg Polytechnic University Journal: Physics and Mathematics . 2015,第2期

机译：砷化铟基板上锑化铟量子点的结构特征
2. Structural features of indium antimonide quantum dots on the indium arsenide substrate [J] . Sokura Liliya A., Nevedomskiy Vladimir N., Bert Nikolay A. St. Petersburg Polytechnic University Journal: Physics and Mathematics . 2015,第2期

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3. An energetic study on the formation of self-assembled indium arsenide nanostructures grown on indium gallium arsenide/indium phosphide and gallium arsenide substrates [J] . F Shi, Kuo-Lih Chang, K C Hsieh Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers, Part N: Journal of Nanoengineering and Nanosystems . 2007,第1期

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4. Improved efficiency of photovoltaic cell based on indium-phosphide-oxide, indium-phosphide, indium-gallium arsenide and indium-gallium-antimonide [C] . Barua Soumen, Abdulla-Al-Galib Mir, Salam K. M. A., 2012 2nd International Conference on Developments in Renewable Energy Technology . 2012

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